Запропоновано емпіричний метод визначення якості надпровідного з'єднання між зразками масивних високотемпературних надпровідників, що є важливим для розв'язання проблеми застосування їх у великомаштабних системах. Введено універсальний параметр - фактор якості, що дозволяє порівнювати результати різних методик, встановлено його зв'язок з густиною критичного струму через надпровідний шов. Метод використано для визначення якості надпровідних з'єднань плавлених текстурованих Y-123 квазімонокристалів, отриманих за технологією спаювання під тиском.

Виконано аналіз розбіжностей між даними транспортних та фотоемісійних експериментів з дослідження електронних властивостей високотемпературних надпровідників (ВТНП). Показано, що врахування реальної електронної структури ВТНП та параметрів квазічастинкового спектра не може пояснити критичну залежність електропровідності від концентрації носіїв. Висунуто гіпотезу фазового розшарування купратів, що може пояснити як критичну залежність електропровідності, так і результати тунельних експериментів на ВТНП-монокристалах.

Розглянуто метод фотоемісійної спектроскопії з кутовою роздільною здатністю. Для збільшення точності та надійності визначення характеристик квазічастинкового спектра запропоновано метод виділення істинної спектральної функції. Як приклад метод застосовано для вивчення залежності часу релаксації квазічастинок від допінгу у BSCCO-ВТНП. Для розширення функціональності методу фотоемісійної спектроскопії розроблено метод розділення поверхневої та об'ємної компонент у фотоемісійних спектрах за допомогою поляризованого випромінення. Як приклад метод застосовано для розділення компонент в спектрі YBCO-ВТНП.

  Скачати повний текст

Розглянуто проблеми формування іншомовної фонетичної компетенції при навчанні іспанської мови як другої іноземної. Проаналізовано традиційний та комунікативний методи навчання іспаномовної вимови, ефективність їх застосування при навчанні другої іноземної мови.

Атомное строение и электронные спектры краевых дислокаций в кристаллическом кремнии рассчитаны методом функционала плотности в обобщенном градиентном приближении. Атомная структура ядра дислокации смоделирована с помощью численного отжига. Рассмотрены два типа краевых дислокаций, а также изменения плотности электронных состояний сверхъячейки, содержащей дислокационный диполь, и возможность формирования магнитного упорядочения на оборванных связях в ядре дислокации.

Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект (ТД) - власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень і вуглець у міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено за допомогою методу linear muffin-tin orbital. Розглянуто зміни густини електронних станів монокристалів кремнію, а також можливість формування магнітних моментів на дефектах. Показано, що частково заповнена домішкова підзона, яка спостерігається для вакансії, атомів кисню та вуглецю в міжвузловому положенні може призводити до формування магнітного моменту. Проаналізовано зарядовий стан ТД у монокристалах кремнію.

Досліджено електронну структуру твердих розчинів перехідних металів (Ti, V, Mn, Fe, Co, Ni, Cu; Nb, Mo; Ta, W) у хромі за допомогою методу розрахунку LMTO (linear muffin-tin orbital). Розраховано енергетичні залежності густини електронних станів для надкомірки, що містить 16 атомів. Показано, що додавання домішкових атомів перехідних металів призводить до розщеплення основного 3d піка хрому на дві підзони за рахунок формування хвиль зарядової густини. Доведено незастосовність моделі нестинга до розглянутих сплавів хрому.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Електронний спектр надкомірки з 64 атомів Si, що містить домішковий атом О в міжвузловому положенні, розраховано за допомогою методу функціонала густини в узагальненому градієнтному наближенні. Атомні позиції в надкомірці моделюються шляхом числового відпалу. Розраховано атомну структуру та електронні спектри ядра крайової дислокації, що містить домішковий кисень. Обговорено зміни густини електронних станів, а також можливість формування магнітних моментів на дислокаційних обірваних зв'язках. Розглянуто можливість виникнення магнітної взаємодії між дислокацією та домішкою кисню в кремнії. Проаналізовано парціальні електронні спектри домішки кисню в міжвузловому положенні та ядрі дислокації.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.27

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Електронні спектри та магнітний момент крайової дислокації в кристалічному кремнії розраховано за допомогою методу функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Обговорено зміни густини електронних станів надкомірки, що містить дислокаційний диполь. Показано можливість формування феромагнітного впорядкування на дислокаційних обірваних зв'язках.

Індекс рубрикатора НБУВ: К297.043

Рубрики:

Структурні і фазові перетворення в аморфних сплавах

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Індекс рубрикатора НБУВ: К297.03

Рубрики:

Кристалізація аморфних сплавів

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено ab initio розрахунок взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами кисню та вуглецю в надкомірці з 180 атомів кремнію. Розрахунок проведено за методом функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Одержано криві взаємодії домішкових атомів кисню та вуглецю з крановою дислокацією в кремнії. Встановлено рівноважне положення домішкових атомів поблизу ядра дислокації, обраховано енергії зв'язку домішкових атомів кисню та вуглецю з крайовою дислокацією. Наведено та проаналізовано електронні спектри надкомірки з 180 атомів кремнію, що містить диполь з двох крайових дислокацій та домпнкові атоми кисню та вуглецю поблизу ядер дислокацій, за різних положень домішок. Результати розрахунків проаналізовано з точки зору можливості виникнення зонного магнетизму.

Проведено ab initio розрахунок взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами азоту в надкомірці з 180 атомів кремнію. Розрахунок проведено за допомогою методу функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні. Одержано криву взаємодії домішкових атомів азоту з крайовою дислокацією в кремнії. Встановлено рівноважне положення домішкових атомів поблизу ядра дислокації, обраховано енергії зв'язку домішкових атомів азоту з крайовою дислокацією. Наведено та проаналізовано електронні спектри обраної надкомірки за різних положень домішок. Результати розрахункiв проаналізовано з точки зору можливості виникнення зонного магнетизму.

Проведено першопринципний розрахунок взаємодії крайової дислокації з домішковими атомами O, N, C, B та H поблизу ядра дислокації в надкомірці зі 180 атомів кремнію. Розрахунок проведено за методом функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні за допомогою пакету програм ABINIT. Одержано криві взаємодії домішкових атомів з крайовою дислокацією в кремнії. Встановлено рівноважне положення домішковнх атомів поблизу ядра дислокації, обраховано енергії зв'язку домішок O, N, C, B та H з крайовою дислокацією. Проаналізовано зміни електронної структури надкомірки з 180 атомів кремнію, що містить диполь з двох крайових дислокацій та домішкові атоми O, N, C, B та H поблизу ядер дислокацій залежно від положення домішок. Обговорено можливість формування магнітного впорядкування на обірваних зв'язках в ядрі крайової дислокації та домішкових атомах O, N, C, B та H поблизу ядер дислокацій в кремнії.

Проведено першопринципний розрахунок впливу домішок бору на електронну структуру карбіду титану. Розрахунок проведено за допомогою методу функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні за допомогою пакету програм ABINIT. Обраховано повні енергії надкомірок карбіду титану з різною кількістю та розташуванням домішкових атомів. Встановлено, що домішкові атоми бору не виявляють схильності до кластеризації. Проаналізовано зміни та встановлено загальні особливості електронної структури TiC з домішковими атомами бору в стані заміщення. Виявлено формування домішкової підзони атомів бору між локальними електронними спектрами 2s та 2p станами вуглецю, ширина та форма якої залежить від розташування та кількості домішкових атомів.

Індекс рубрикатора НБУВ: В377.1в641 + В376в641

Шифр НБУВ: Ж14161 Пошук видання у каталогах НБУВ 

Проведено першопринципний розрахунок атомарної та електронної структур, а також пружніх властивостей надкомірки силіцію з 64 атомів за наявності власних точкових дефектів, основних домішкових атомів (O, C) та легувальних домішок (N, B, P, As, Al, In). Розрахунок проведено за допомогою методу функціоналу густини в узагальненому градієнтному наближенні за допомогою пакета програм ABINIT. Проаналізовано зміщення атомів силіцію навколо досліджених точкових дефектів аж до 9 координаційної сфери включно. Обраховано та проаналізовано особливості зміни рівноважного об'єму та коефіцієнта всебічного стиснення надкомірки з 64 атомів Si із різними точковими дефектами. Показано, що деформація структури за рахунок точкових дефектів призводить до зменшення модуля всебічного стиснення для всіх досліджених випадків, крім міжвузловинного оксигену. Наведено та проаналізовано електронні спектри надкомірок силіцію з різними точковими дефектами. Показано, що наявність власних точкових, дефектів, а також оксигену та карбону в силіції призводить до появи вузьких домішкових піків в околі рівня Фермі, які у випадку міжвузловинного оксигену можуть призводити до формування магнітних моментів на домішкових атомах.